華裔科學家獲2015年度美國最高技術獎

【大紀元2015年12月24日訊】（大紀元記者鄭孝棋綜合報導）12月22日，美國白宮公布2015年度美國最高科技獎項獲獎者名單，有9人獲得國家科學獎（National Medal of Science），8人獲得國家技術和創新獎（National Medal of Technology and Innovation），其中美籍華人科學家胡正明（Chenming Hu）是國家技術和創新獎獲獎者之一。

據加州大學伯克利分校新聞網站報導，胡正明是該校電氣工程和計算機科學教授，上週他剛當選美國發明家學會（NAI，National Academy of Inventors）院士。1997年當選美國國家工程院院士。

胡正明是微電子微型化和可靠性領域的主要開拓者，也是鰭式場效晶體管（FinFET）的發明者，如今三星、台積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術。胡正明1947年出生於北京荳芽菜胡同，在台灣長大，後來考入加州大學伯克利分校。

FinFET技術允許半導體工業生產更小更可靠和性能更高的集成電路。胡正明曾介紹，FinFET有兩個突破，一是把晶體做薄後解決了漏電問題，二是向上發展，晶片內構從水平變成垂直。他認為，FinFET的真正影響是打破原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制，這項技術現在仍看不到極限。

胡正明等17位獲獎者明年將在白宮出席頒獎儀式。

維基百科資料介紹，胡正明1968年畢業於國立台灣大學電機工程系。此後赴美國留學，先後於1970年、1973年獲柏克萊加州大學碩士、博士學位。畢業後前往麻省理工學院任助理教授。1976年起任教於加州大學伯克利分校電子工程與計算機科學系。1996年創辦思略微電子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事長。2001年至2004年間擔任台積電首任技術執行長，兼任柏克萊加州大學台積電傑出講座教授。2004年後回校任教。2008年起任SanDisk公司董事。

美國國家技術和創新獎1980年立法設立，由美國聯邦政府商務部下屬專利商標局管理。一個獨立委員會負責向美國總統提名獲獎人，表彰那些為提供美國競爭能力、國民生活品質和勞動力技術素質作出持久貢獻的人士。

美國國家科學獎是美國科學界最高榮譽，1959年設立，由美國國家科學基金會管理，由另一個獨立委員會向總統提名，表彰在化學、工程、計算、數學、生物、行為和社會以及其他自然科學領域作出傑出貢獻的人士。

責任編輯：林詩遠