【大纪元5月13日报导】–第二季产业展望专题报导之五(中央社记者张良知台北十三日电)尽管DRAM模组厂商受DRAM价格续跌影响，4月营收普遍较3月回档，不过因NAND Flash价格稳定，毛利仍相对较佳；而下半年在NAND Flash需求强劲可能造成供不应求，且DRAM也将出现旺季效应下，模组及相关NAND Flash厂商获利可望呈现急速拉升。
由于4月DRAM价格持续下滑及Flash价格走势平稳，下游通路商补货意愿减低，包括创见4月营收新台币28.76 亿元，较3月高点下滑34.13%，较2006年同期16.46亿元成长74.73%；威刚4月营收32.81亿元，较3月52.06亿元下滑36.98%，年增率16.3%。
创见表示，预期第二季受到传统淡季的影响，营收将较首季下滑约10%左右，但第二季Flash及DRAM价格波动幅度将较第一季和缓下，反而有利于毛利率的提升，创见预估毛利率可望回升至10%以上，整体获利仍维持不错表现。
法人表示，Vista效应并未如预期在第二季显现，是本波DRAM跌势较大的主要原因，不过多数业者及法人认为，随着旺季效应及观望买盘结束，DRAM的价格在5月落底反弹的机会很大。
此外，全球最大记忆体厂三星电子上周举行全球法说会，三星认为下半年的NAND Flash需求强劲，将会出现供不应求的现象，而DRAM也将出现旺季效应，为下半年记忆体市况打了一记强心针。
三星电子在法说会中表示，目前看起来，NANDFlash的能见度显然较DRAM高。三星以8Gb规格的NANDFlash为例，自3月起价格相对强势，主要受到第二季手机及数位相机用记忆卡需求稳定，加上记忆体容量主流成长至2GB所致。
此外，配合MP3、数位相机等主要应用产品为下半年需求提前备货，加上主要大厂在NAND Flash的投片量成长率，自去年第四季的4%降至今年第二季的1%，因此三星预估，NAND下半年有强劲复苏力道，并有机会达供不应求状态。至于在DRAM方面，三星看好下半年因Vista效应及DRAM价格大幅下滑，将带动市场需求回升。
三星电子估计，今年每台PC的记忆体容量年增率将达52%，优于原先预期的46%，而记忆体容量2GB的价格也在厂商及消费者可负担范围以内，目前1Gb模组的需求已超越过去主流的512Mb模组。
由于NAND Flash市况持续看好，国际主要大厂已停止将NAND产能转至DRAM的动作，使三星电子预期下半年DRAM将受惠于PC传统旺季，以及Vista渗透率提升的双重效应，加上高阶手机等应用，对DRAM的需求也将拉升，有助于下半年DRAM的供需状态发展，步入旺季效应。
业者指出，4月DRAM合约价跌幅逾2成，以5月上半月的资料来看，跌幅普遍缩小在1成以内，初步符合制造商预估5月缓跌的趋势，由于DDR2 512Mb Ett(有效测试颗粒)每颗的报价已跌破2美元，部分制造商已有跌破成本压力，因此，业者及通路商预估，DRAM价格再跌的空间有限，短期内随下半年PC需求，价格可望落底。
至于在下游模组厂商方面，由于5月上半DRAM合约价续跌幅度在10%以内，且5月以来NAND Flash合约价持平，第二季的营收虽受DRAM跌价拖累，但在NAND Flash持稳可适时补强毛利率，预估获利能力因价格波动度相对较小，反而使得毛利率有优于第一季的表现。
整体来看，NAND Flash价格自3月初开始由低点反弹，主流的8Gb MLC晶片从5美元附近起涨，一路涨到7.4美元附近，波段涨幅近5成。原本市场预期5月起受淡季影响，价格将拉回修正，不过从集邦科技（DRAMeXchange）5月上旬NAND Flash合约价来看，今年罕见以平盘开出，透露淡季市场需求仍强。
由于消费性电子产品对于记忆体容量需求大幅增加，加上淡季价格有撑，法人及制造商预期，随着苹果对NAND Flash扫货及第三季起传统旺季到来，下半年价格有看涨空间、NAND Flash并可能呈现供不应求，包括威刚、创见、群联、安国等相关概念股可望在下半年展现成长爆发力。
