【大纪元2月21日报导】（中央社记者陈永昌台北二十一日电）联华电子今天宣布采用其0.13微米RFCMOS制程技术，已制造出振荡频率为192-GHz的双推式电压控制振荡器，192-GHz 也创下目前硅晶片全球最高振荡频率的纪录。
联电指出，这个晶片是由佛罗里达大学甘斯威尔分校电机电脑工程系所的硅微波积体电路与系统研究组所设计，这个团队也曾在去年六月设计，并由联电制造出创下当时纪录的105-GHz电压控制振荡器。
联电指出，电压控制振荡器被广泛运用于几乎所有的射频与无线系统中，具有高频率的振荡器例如192-GHz电压控制振荡器，可使用于先进的远端遥测与尖端影像应用，以实现侦测化学物质、穿透布料侦测、穿透雾气与云层显像、以及侦测皮肤癌等应用。
联电系统架构支援部总工程师林子声表示，联电经过验证的RFCMOS技术，现已用于驱动广泛的先进无线应用产品，佛罗里达大学这项最新的成果，展现了联电RFCMOS制程技术，对于效能要求极高的设计产品是十分适合的。联电十分高兴与佛大共同实现了这项技术上的突破，并且期待将这些研究成果提供给主流射频设计公司。
