【大纪元12月20日讯】（大纪元记者徐丰喜编译）由IBM公司所开发的新一代记忆体技术“相变化记忆体（Phase-change memory）”可能取代目前所使用的快闪记忆体（Flash memory）和硬碟。
根据IDG News Service的消息，比起目前所使用的快闪记忆体，IBM公司于12月初所发表的新一代的记忆体能让iPod和数位相机等装置储存更多音乐、图片和其它的资料，有一天甚至可以取代硬碟的功能。他们表示，目前公司所展示的原型机，只需花一半的电力，而操作速度比快闪记忆体要快上500倍。
更小更快
这种电路的元件比起目前所使用的快闪记忆体要小的多，大约是3乘20奈米（1奈米等于10亿分之1公尺），厂商估计相变化记忆体将会在2015年成为主要的生产技术。研究者将新的材料应用在记忆体晶片中，这种称为锗合金的新型材料可以改进记忆体的性能，这种新材料正在申请专利中。
除了IBM公司外，其它的厂商包括从Infineon Technologies公司分离出来的Qimonda公司、台湾的Macronix公司都在研发类似的产品。
令人兴奋的突破
相变化记忆体的发明是一种大的突破，然而消费者还需耐心的等候几年才能看到这种技术的相关产品。这种记忆体看起来颇有潜力，它是一种新型的非挥发性记忆体，所谓的非挥发性记忆体是一种可以长期保存资料而不需消耗电力的记忆体，比起同样是非挥发性记忆体的快取记忆体，相变化记忆体更能有效而长久的保存资料。
快闪记忆体目前面临瓶颈，当工程师将元件越做越小，却发现漏电的情况越来越严重，而导致记忆体无法长期保存资料，快闪记忆体元件的最小尺寸约为45奈米，这种小尺寸的元件要达到产品化还需要等待几年的时间。
研究者表示，相变化记忆体的元件最小可达22奈米，远比快闪记忆体小，而且它的寿命较长，目前的快闪记忆体只能允许10万次的读写动作。
尽管这种新的技术前景看好，但是还需要克服几个主要的问题，一个是它必须容易量产，第二个是必须压低成本。Rambus公司曾经尝试使用新的技术取代目前电脑中的主要记忆体，并获得Intel公司的支持，但最后却失败了，有些公司认为这是因为生产成本太高所致，但是Rambus公司却不认同这样的说法。(http://www.dajiyuan.com)
