【大纪元2015年08月03日讯】大纪元记者林宝云台湾新竹报导）交通大学研究团队参与台籍科学家李连忠博士(前中研院研究员)所组成跨国研究团队，发展出单层二硫化钼及单层二硒化钨的完美P-N接面，可望进一步成功解决半导体元件制备的关键问题，未来可广泛应用于极度微小化的电子元件，该项研究成果发表于最新一期国际顶尖期刊 《SCIENCE》中。
现今国际半导体大厂如Intel、台积电及三星等厂商目前最小元件技术落在7 至10奈米 (Technology Nodes)，如何克服制程微缩的难题，并且开发创新材料，将是带领半导体产业进入下一个新世代的关键。
二硫化钼是继石墨烯 (注: 2010年物理学诺贝尔奖颁给发现单层石墨烯的英国物理学家们)之后，备受国际科学家关注的层状材料，单层的二硫化钼具有约1.9 eV 的直接能隙，以及极佳的电子迁移率 (移动速度)及开关比(注: 高的开关比特性是电子电路稳定操作的必要条件)，可用于未来新型低耗能逻辑电路，将来极有可能成为下一世代的主要元件核心。
李连忠博士是二维材料国际知名学者，于2012年率先全球利用化学气相沉积法制备出高品质二硫化钼单层单晶，是继石墨烯之后二维材料领域的重大突破。今年李连忠博士带领位于沙乌地国王科技大学之研究小组，与交大教授、中研院研究员，以及日本专业博士等进行跨国大规模合作计划，研究如何有效控制二维接面的成长，并成功的制作出完美二维P-N 接面，不仅提供科学家新的基础研究平台，而且极有潜力能应用于未来电子及光电元件中。
在交大、中研院应科中心、科技部自然司尖端晶体材料开发及制作计划以及跨领域基础科学研究中心的支持下，于2014年在交大田家炳大楼成立了二维晶体材料实验室，由李连忠博士与张文豪教授共同主持，张文豪表示这是全世界技术最为领先的二维材料成长研究室，领先国际的旗舰型计划也在陆续进行中。他欢迎有兴趣接受挑战的年轻学子加入参与最尖端材料及新型光电元件之研究。
责任编辑：吕美琪
