Samsung开发出世界上最小的512Mb闪存卡
【大纪元2月21日电】日前韩国三星公司宣布利用0.15微米技术成功开发出目前世界上最小的512Mb NAND式闪存卡。这种0.15微米级的闪存卡是目前业界容量最大的单片集成电路芯片。将两个512Mb的闪存芯片堆叠起来成为双芯片组合，能够使存储量扩展至1Gb。
据《ZDNet》报导，去年三星研制开发了0.18微米级的256Mb的闪存卡，并在6个月之后，又推出了容量更大的0.15微米的产品。高耦合元件的开发避免了高压编程，因此，不仅提高了30％左右的数据存取速度，而且还为开发0.12微米的闪存卡奠定了坚实的基础。更重要的是，闪存卡的掩层数量有望进一步减少，而这个数量是决定闪存卡价格最关键的因素。
三星电子计划专门为高品质的数码相机、MP3播放器、数字电视和第三代移动电话（3G）开发新型闪存卡。作为一种高密度的存储设备，这种新型闪存卡能够代替硬盘驱动器用于便携式产品，比如PDA（个人数字助理）、掌上电脑和亚笔记本电脑，而硬盘驱动器不能用于这些掌中产品是因为耗电量过高、体积过大、对振动过分敏感等原因。
2000年NAND型闪存卡的全球市场份额约为11亿美元，根据Semico的预测，市场份额的年增长率大约为71％，到2003年将达到55亿美元。这是半导体行业公认的增长最迅速的一部分。三星电子的512Mb闪存卡样品已经下线，并计划在今年的第三季度正式大规模投产。三星电子希望其2001年的闪存卡销售额达到8亿美元。
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