【大紀元2月16日報導】(中央社記者張建中新竹16日電)工研院今天宣布，與世界先進等20家磊晶及IC製造業者共組寬能隙電力電子研發聯盟，共同合作開發寬能隙化合物半導體元件，建立台灣自主電力電子產業鏈。
工研院表示，隨著能源科技日新月異，動力與電力需求愈來愈大，改善電能使用效率的電子電力技術逐步成為全球半導體業矚目的新興科技。
由於傳統的矽晶半導體元件正面臨效率提升困境，高效率的寬能隙碳化矽 (SiC)與氮化鎵 (GaN)化合物半導體元件將逐步成為市場主流。工研院預估，2019年碳化矽材料的電力電子元件市場規模將達18.3億美元。
為推動國內碳化矽技術產業垂直合作，工研院結合世界先進、光磊、茂達、廣鎵、富鼎、茂矽、尼克森、車王電、嘉聯益、漢民科技、台半、合晶、晶電及同欣等20家磊晶、元件設計、製造、封測、模組驗證及系統應用廠商合組研發聯盟。
工研院指出，寬能隙電力電子研發聯盟初期將由工研院主導，建置碳化矽實驗室，與會員廠商針對特定技術，進行碳化矽技術的高功率基板材料、磊晶、元件製程、模組與驗證等技術開發。
工研院預期，3年後將達到應用模組階段，投入電動車、太陽光電、分散式能源與變頻空調等功率元件產品應用開發，期能透過聯盟運作，帶動電力電子產業資源整合，建立自主關鍵技術，建構完整產業鏈。
