【大纪元12月11日报导】(中央社记者张建中新竹十一日电)台积电今天在美国华盛顿特区举行的国际电子元件大会 (IEDM)中发表论文，宣布开发出同时支援类比及数位积体电路的32奈米制程技术，并成功试产出32奈米2Mb静态随机存取记忆体(SRAM)，且已通过功能试验。
台积电表示，成功开发出32奈米制程技术，象征公司先进技术的开发迈向另一个新里程碑。
台积电指出，开发出的低耗电量32奈米制程技术，具备低待机耗电量电晶体、类比及射频功能、铜导线以及低介电系数材料导线等特色，适合用于生产可携式产品所需的系统单晶片。
因应客户不同市场需求，台积电未来将提供包括数位、类比、射频以及高密度记忆体等多样的32奈米制程。
